La UTBM se complace en anunciar que doce miembros de su personal figuran en la clasificación de Stanford entre el 2 % de los investigadores más citados del mundo (por lo que se les considera parte de los investigadores más influyentes en su especialidad científica).
Así, más del 11 % de los profesores-investigadores de la UTBM figuran en esta clasificación, que publica anualmente laUniversidad de Stanford y que se dio a conocer el pasado 19 de septiembre para la edición de 2025. Se basa en los indicadores bibliométricos de la base de datos SCOPUS.
Mohamed Becherif(ingeniería eléctrica)
Maurizio Cirrincione(ingeniería eléctrica)
Christian CODDET(materiales)
Fei Gao (ingeniería eléctrica)
Hanlin Liao (materiales)
Abdellatif Miraoui(ingeniería eléctrica)
Ghislain MONTAVON (materiales)
Yassine Ruichek (inteligencia artificial)
Maurizio CIRRINCIONE(ingeniería eléctrica)
Christian CODDET(materiales)
Abdesslem DJERDIR (ingeniería eléctrica)
Fei GAO(ingeniería eléctrica)
Salah LAGROUCHE(automoción)
Hanlin LIAO(materiales)
Abdellatif MIRAOUI(ingeniería eléctrica)
Alexandre Ravey (ingeniería eléctrica)
Yicha ZHANG(ingeniería industrial)
Estos galardones dan fe de la calidad y el alcance internacional de las investigaciones llevadas a cabo en la UTBM. No solo reconocen la excelencia científica individual, sino también el compromiso colectivo de nuestros laboratorios, nuestros equipos y toda la institución en su
para apoyar la investigación, la innovación, la formación a través de la investigación, la difusión del conocimiento y la transferencia de tecnología.
La UTBM felicita calurosamente a estos profesores-investigadores por sus notables contribuciones. Estos resultados animan a seguir promoviendo trabajos de gran rigor, a fomentar las publicaciones de alto nivel, las colaboraciones internacionales, así como la transparencia y la calidad en todas las etapas de la investigación.
